Применение метода лазерной интерферометрии для определения скорости роста тонких пленок CdSe в процессе электролиза

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВасько, А.Т.
dc.contributor.authorЦиковкин, Е.М.
dc.contributor.authorКраснов, Ю.С.
dc.date.accessioned2022-01-02T17:31:47Z
dc.date.available2022-01-02T17:31:47Z
dc.date.issued1983
dc.identifier.citationПрименение метода лазерной интерферометрии для определения скорости роста тонких пленок CdSe в процессе электролиза / А.Т. Васько, Е.М. Циковкин, Ю.С. Краснов // Украинский химический журнал. — 1983. — Т. 49, № 2. — С. 156-159. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn0041–6045
dc.identifier.udc535.417:541.135:546.23.
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/182419
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofУкраинский химический журнал
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectЭлектрохимияuk_UA
dc.titleПрименение метода лазерной интерферометрии для определения скорости роста тонких пленок CdSe в процессе электролизаuk_UA
dc.title.alternativeApplication of the Method of Laser Interferometry for Determining the Growth Rate of Thin CdSe Films in Electrolysisuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
13-Vasko.pdf
Розмір:
352.38 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Украинский химический журнал, 1983 (том 49), № 02