Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorNormuradov, M.T.
dc.contributor.authorUmirzakov, B.E.
dc.contributor.authorTashmukhamedova, D.A.
dc.contributor.authorTashatov, A.K.
dc.date.accessioned2017-06-13T16:39:22Z
dc.date.available2017-06-13T16:39:22Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractIn this work investigated is the influence of barium ion implantation and subsequent annealing on composition, electronic and crystalline structure of GaAs surface. For the first time, the influence of low energy Ba⁺ ions implantation on the structure of GaAs surface was investigated using photoelectron spectroscopy. Determined are parameters of energy bands and the crystalline lattice of the three-component system Ga₀.₆Ba₀.₄As. The width of the forbidden gap is Eg = 1 eV, the lattice constant is a = 5.73 Å.uk_UA
dc.identifier.citationInfluence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface / M.T. Normuradov, B.E. Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, A.K. Tashatov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 2. — С. 138-141. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 61.72.V, 61.80.-x, 79.60.-i
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121184
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleInfluence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surfaceuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
03-Normuradov.pdf
Розмір:
231.1 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002, № 2