Структура и свойства электроосажденных пленок сульфида кадмия

Abstract

Неотъемлемой частью современных тонкопленочных фотопреобразователей (ФЭП) на базе диселенида меди и индия и теллурида кадмия являются слои сульфида кадмия, которые играют роль буфера между базовым слоем и прозрачным электродом. Данная работа посвящена исследованию структуры, электрических и оптических свойств электроосажденных пленок CdS. Структурный анализ проводили рентген-дифрактометрическим методом. Для определения электрических свойств использовали темновые вольт-амперные характеристики (ВАХ) пленок. Оптические свойства исследовали методом спектрофотометрии.

Невід'ємною складовою сучасних тонкоплівкових фотоперетворювачів (ФЕП) на базі діселеніду міді та індію і на базі телуриду кадмію є шари сульфіду кадмію, які відіграють роль буфера між базовим шаром і прозорим електродом. Ця робота присвячена дослідженню структури, електричних і оптичних властивостей електроосаджених плівок CdS. Структурний аналіз здійснювався рентген-дифрактометричним методом. Для визначення електричних властивостей використовували темнові вольт-амперні характеристики (ВАХ) плівок. Оптичні властивості досліджували методом спектрофо-тометрії.

Cadmium sulfide layers are integral part of the modern solid state photovoltaic devices (PVD) on the base of copper indium diselenide and on the base of cadmium telluride. They play the role of the buffer between the base layer and the transparent electrode. This work is devoted to research of the structure, electrical and optical properties of electrodeposited CdS films. The structural analysis was executed by the method of X-ray diffractometry. For determination of the electrical properties the dark current-voltage characteristics (IVC) of the films were used. Optical properties were investigated by means of spectrophotometry method.