Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДжафарова, Э.А.
dc.date.accessioned2014-01-19T22:24:21Z
dc.date.available2014-01-19T22:24:21Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractПредложены способы изготовления полупроводникового переключателя, ячейки памяти и диодной матрицы с идентичными параметрами (по Unp) на основе Al-SiO₂-Si-М-структуры.uk_UA
dc.identifier.citationНестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе / Э.А. Джафарова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/53397
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микро- и наноэлектроникаuk_UA
dc.titleНестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основеuk_UA
dc.title.alternativeНестаціонарні електронні процеси у бар'єрних структурах та прилади на їх основіuk_UA
dc.title.alternativeNon-stationary electronic processes in barrier structures and devices on their basisuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
11-Dzhafarova.pdf
Розмір:
143.64 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006, № 6