Влияние сверхвысокого давления на Sm₂O₃

dc.contributor.authorБутько, В.Г.
dc.contributor.authorВолошин, В.А.
dc.contributor.authorГусев, А.А.
dc.contributor.authorШевцова, Т.Н.
dc.date.accessioned2020-04-19T20:02:20Z
dc.date.available2020-04-19T20:02:20Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractПроизведен расчет электронной плотности (ЭП) в каждой точке ячейки Sm₂O₃ с помощью модифицированного метода Томаса–Ферми при различном давлении: от атмосферного до давления, во много раз превосходящего достижимое экспериментально. Это позволило сделать выводы о перераспределении ЭП, об увеличении валентности, об изменении магнитных свойств данного вещества.uk_UA
dc.description.abstractElectron density (ED) at every point of Sm₂O₃ cell has been calculated by a modified Thomas−Fermi method for different pressure: from the atmospheric one to a pressure that is many times higher than that one attained experimentally. It has been concluded that there are electron-density redistribution, an increase in valency, and changes in magnetic properties of the substance.uk_UA
dc.identifier.citationВлияние сверхвысокого давления на Sm₂O₃ / В.Г. Бутько, В.А. Волошин, А.А. Гусев, Т.Н. Шевцова // Физика и техника высоких давлений. — 2004. — Т. 14, № 1. — С. 7-15. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn0868-5924
dc.identifier.otherPACS: 62.50.+p
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/168041
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherДонецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизика и техника высоких давлений
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleВлияние сверхвысокого давления на Sm₂O₃uk_UA
dc.title.alternativeEffect of superhigh pressure on Sm₂O₃uk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
01-ButkoNEW.pdf
Розмір:
883.02 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: