Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКаримов, А.В.
dc.contributor.authorЁдгорова, Д.М.
dc.contributor.authorЮлдашев, Ш.Ш.
dc.contributor.authorБолтаева, Ш.Ш.
dc.date.accessioned2014-01-14T23:12:25Z
dc.date.available2014-01-14T23:12:25Z
dc.date.issued2006
dc.description.abstractПриведен способ получения резкого p-n-перехода методом жидкостной эпитаксии. На основе эпитаксиальных p-n-переходов изготовлены полевые транзисторы, подтвердившие эффективность предложенного способа.uk_UA
dc.identifier.citationФизико-технологические основы получения резкого p–n-перехода / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ш.Ш. Юлдашев, Ш.Ш. Болтаева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 59-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52975
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехнологические процессы и оборудованиеuk_UA
dc.titleФизико-технологические основы получения резкого p–n-переходаuk_UA
dc.title.alternativeФізико-технологічні основи отримання різкого p-n-переходаuk_UA
dc.title.alternativePhysical-technological bases of reception sharp p-n-transitionuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
15-Karimov.pdf
Розмір:
91.35 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006, № 4