Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВоронин, В.А.
dc.contributor.authorГуба, С.К.
dc.contributor.authorКурило, И.В.
dc.date.accessioned2013-12-15T22:25:13Z
dc.date.available2013-12-15T22:25:13Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractИсследована технология получения изотермическим низкотемпературным методом хлоридной эпитаксии совершенных структур GaAs, легированного Sn и Bi. На основе таких структур созданы силовые биполярные и полевые транзисторы с улучшенными характеристиками.uk_UA
dc.identifier.citationПолучение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 2. — С. 31-35. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51906
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectСенсоэлектроникаuk_UA
dc.titleПолучение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксииuk_UA
dc.title.alternativeОтримання арсенід-галієвих структур силових біполярних і польових транзисторів методом газофазної епітаксіїuk_UA
dc.title.alternativeProducing of pover GaAs structures of bipolar and field-effect transistor by CVD-methoduk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
07-Voronin.pdf
Розмір:
145.98 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010, № 2