Умножители частоты миллиметрового диапазона на полупроводниковых диодных структурах

dc.contributor.authorКарушкин, Н.Ф.
dc.date.accessioned2019-04-03T17:38:18Z
dc.date.available2019-04-03T17:38:18Z
dc.date.issued2018
dc.description.abstractПроведен анализ достигнутого уровня параметров и основных путей создания умножителей частоты, выполненных на основе полупроводниковых диодных структур, эффективных в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн. Рассмотрены диодные генераторы гармоник; умножители частоты, принцип действия которых основан на нелинейности зависимости их реактивных параметров от напряжения; умножители частоты высокой кратности на лавинно-пролетных диодах, действующих в режиме радиоимпульсного возбуждения колебаний в области высоких частот; умножители частоты на диодных гетероструктурах и квантовых сверхрешетках в терагерцевом диапазоне.uk_UA
dc.description.abstractВажливу роль в освоюванні міліметрового і субміліметрового діапазонів хвиль відіграють помножувачі частоти. У даній роботі проведено аналіз основних напрямків сучасного розвитку ефективних помножувачів частоти, виповнених на основі напівпровідникових діодних структур, ефективних у міліметровому та субміліметровому діапазонах довжини хвиль. Розглянуто діодні генератори гармонік; помножувачі на основі нелінійних залежностей їх реактивних параметрів від напруги; помножувачів високої кратності на основі лавинно-пролітних діодів, що діють в режимі радіоімпульсного збудження коливань в області високих частот; помножувачі на основі складених гетероструктур і квантових надрешіток в терагерцевому діапазоні.uk_UA
dc.description.abstractImportant role in the development of millimeter and sub-millimeter wave ranges belongs to the frequency multipliers development. This paper analyzes the main trends of modern development of efficient frequency multipliers on semiconductor diode structures, which are based on different physical principles, namely diode harmonic generators; frequency multipliers based on nonlinear dependencies of their reactive parameters on the voltage; frequency multipliers of high multiplicity on IMPATT diodes operating in mode of pulse exciting oscillations at high frequencies; multipliers on complex heterostructures and quantum super lattices in the terahertz range.uk_UA
dc.identifier.citationУмножители частоты миллиметрового диапазона на полупроводниковых диодных структурах / Н.Ф. Карушкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2018. — № 3. — С. 22-37. — Бібліогр.: 41 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.otherDOI: 10.15222/TKEA2018.3.22
dc.identifier.udc621.314.26:621.382.64
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/150265
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectСВЧ-техникаuk_UA
dc.titleУмножители частоты миллиметрового диапазона на полупроводниковых диодных структурахuk_UA
dc.title.alternativeПомножувачі частоти на напівпровідникових діодних структурахuk_UA
dc.title.alternativeMillimeter-wave frequency multipliers based on semiconductor diode structuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
04-Karushkin.pdf
Розмір:
2.38 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: