Зміна властивостей стекол As₂S₃ при легуванні рідкоземельними та перехідними металами: DSC дослідження та раманівська спектроскопія
dc.contributor.author | Паюк, О.П. | |
dc.contributor.author | Ліщинський, І.М. | |
dc.contributor.author | Стронський, О.В. | |
dc.contributor.author | Влчек, M. | |
dc.contributor.author | Губанова, А.О. | |
dc.contributor.author | Криськов, Ц.А. | |
dc.contributor.author | Олексенко, П.Ф. | |
dc.date.accessioned | 2017-05-13T20:40:33Z | |
dc.date.available | 2017-05-13T20:40:33Z | |
dc.date.issued | 2011 | |
dc.description.abstract | Наведено результати досліджень впливу легування на магнітні та термічні властивості, а також структуру склоподібних напівпровідників системи As–S, легованих марганцем масова частка (1, 2, 5, 8 %), хромом (масова частка 0,5, 0,75 %) й іттербієм (масова частка 0,5, 1, 2 %), за допомогою SQUID-магнітометра, диференційного сканувального калориметра та комбінаційного розсіювання світла. Оцінено енергію активації процесу переходу в скло з використанням формули Кісінджера. | uk_UA |
dc.description.abstract | The results are presented of investigations of doping influence on magnetic and thermal properties and structure of chalcogenide vitreous semiconductor of As-S samples doped with manganese (1, 2, 5, 8 % of weight), chromium (0.5 and 0.75 % weight), ytterbium (0.5, 1, 2 % of weight) and investigated with the use of SQUID-magnetometer, DSC and Raman scattering. The activation energy of glass transition was estimated using Kissinger's formula. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Зміна властивостей стекол As₂S₃ при легуванні рідкоземельними та перехідними металами: DSC дослідження та раманівська спектроскопія / О.П. Паюк, І.М. Ліщинський, О.В. Стронський, M. Влчек, А.О. Губанова, Ц.А. Криськов, П.Ф. Олексенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2011. — Вип. 46. — С. 62-67. — Бібліогр.: 19 назв. — укр. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 0233-7577 | |
dc.identifier.udc | 537.638.5+536.62 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116698 | |
dc.language.iso | uk | uk_UA |
dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.title | Зміна властивостей стекол As₂S₃ при легуванні рідкоземельними та перехідними металами: DSC дослідження та раманівська спектроскопія | uk_UA |
dc.title.alternative | Change of properties of As₂S₃ glasses doped with rareearth and transition metals: dsc and Raman spectroscopy study | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: