Юстировка пороговых напряжений в технологии БИС

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorНовосядлый, С.П.
dc.contributor.authorБуджак, Я.С.
dc.date.accessioned2017-07-17T18:25:00Z
dc.date.available2017-07-17T18:25:00Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractНа основе H-MOS-технологии разработаны новые методы контроля малых доз ионного легирования в системной технологии микроэлектроники.uk_UA
dc.description.abstractBased on H-MOS technology the process control inspection new methods of dosage concentration of doping in system technology of microelectronics have been developed.uk_UA
dc.identifier.citationЮстировка пороговых напряжений в технологии БИС / С.П. Новосядлый, Я.С. Буджак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 2-3. — С. 20-23. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122697
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectТехнологические процессыuk_UA
dc.titleЮстировка пороговых напряжений в технологии БИСuk_UA
dc.title.alternativeЮстировка порогової напруги у технологiї виготовлення ВIСuk_UA
dc.title.alternativeThe adjustment of threshold powers in LSIC technologyuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
04-Novosiadly.pdf
Розмір:
130.84 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструиров. в электронной аппаратуре, 1999, № 2-3