Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorМелебаев, Д.
dc.contributor.authorМелебаева, Г.Д.
dc.contributor.authorРудь, Ю.В.
dc.contributor.authorРудь, В.Ю.
dc.date.accessioned2013-12-30T23:04:49Z
dc.date.available2013-12-30T23:04:49Z
dc.date.issued2008
dc.description.abstractУстановлено, что фоточувствительные структуры Ni–n–GaAs при освещении со стороны полупрозрачного слоя никеля практически не реагируют на свет в фаулеровской области спектра hv=0,9...1,25 эВ.uk_UA
dc.identifier.citationСпектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 31-34. — Бібліогр.: 17 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52390
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микро- и наноэлектроникаuk_UA
dc.titleСпектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAsuk_UA
dc.title.alternativeСпектри фоточутливості поверхнево-бар'єрних структур Ni–n–GaAsuk_UA
dc.title.alternativePhotosensitivity spectrums of Ni–n–GaAs surface-barrier structuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
08-Melebaev.pdf
Розмір:
179.75 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008, № 1