Monocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorAzarenkov, N.А.
dc.contributor.authorSemenenko, V.Е.
dc.contributor.authorOvcharenko, А.I.
dc.contributor.authorPylypenko, M.M.
dc.date.accessioned2017-01-13T19:14:55Z
dc.date.available2017-01-13T19:14:55Z
dc.date.issued2016
dc.description.abstractIn this paper we consider perfect doped silicon single crystals growth. Special features of anodic etching of n- and p-type single crystals has been revealed. An impact of seed orientation on dislocation and defect structure evolution in crystal on different growth stages has been found. Influence of heat treatment on phase-structural condition of single crystals and nonequilibrium carrier lifetime has been determined.uk_UA
dc.description.abstractВивчено особливості вирощування досконалих легованих монокристалів кремнію. Виявлено особливості анодного травлення монокристалів n- і p-типів. Визначено вплив орієнтації запалу на еволюцію дислокаційної і дефектної структур у кристалі на різних стадіях росту. Встановлено вплив термообробки на структурно-фазовий стан монокристалів і час життя нерівноважних носіїв струму.uk_UA
dc.description.abstractИзучены особенности выращивания совершенных легированных монокристаллов кремния. Выявлены особенности анодного травления монокристаллов n- и p-типов. Определено влияние ориентации затравок на эволюцию дислокационной и дефектной структур в кристалле на различных стадиях роста. Установлено влияние термообработки на структурно-фазовое состояние монокристаллов и время жизни неравновесных носителей тока.uk_UA
dc.identifier.citationMonocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystals / N.А. Azarenkov, V.Е. Semenenko, А.I. Ovcharenko, M.M. Pylypenko // Вопросы атомной науки и техники. — 2016. — № 1. — С. 23-29. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1562-6016
dc.identifier.otherPACS:81.10.Fq, 88.40.jj, 78.40.Fy, 81.40.-z, 85.40.Ry, 72.10.Fk
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111722
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherНаціональний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofВопросы атомной науки и техники
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectЧистые материалы и вакуумные технологииuk_UA
dc.titleMonocrystalline structure formation of doped perfect silicon crystalsuk_UA
dc.title.alternativeОсобливості формування досконалої монокристалічної структури легованих кристалів кремніюuk_UA
dc.title.alternativeОсобенности образования совершенной монокристаллической структуры легированных кристаллов кремнияuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
06-Azarenkov.pdf
Розмір:
920.11 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Вопросы атомной науки и техники, 2016, № 1