Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorBoiko, I.I.
dc.date.accessioned2017-05-26T12:54:37Z
dc.date.available2017-05-26T12:54:37Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractPiezoresistance of n-Si is considered with due regard for inter-valley drag. It has been shown that inter-valley drag gains the piezocoefficient and diminishes the mobility. In the region of nondegenerate carriers, the effect of drag increases when the carrier concentration rises and temperature falls.uk_UA
dc.identifier.citationInfluence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si / I.I. Boiko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 2. — С. 183-187. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 61.72, 72.20
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117714
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleInfluence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Siuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
32-Boiko .pdf
Розмір:
155.44 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2011, № 2