Эпитаксиальный рост плёнок тройной системы Сu–In–Se

Abstract

На поверхности (001) кристаллов KCl с подслоем PbS при температуре подложки 400 ºС выращены эпитаксиальные пленки β-CIS. В пленках обнаружены зоны существования β-CIS и β- + γ-CIS, соответствующих псевдобинарной диаграмме состояния Cu₂Se–In₂Se₃. В кристалликах β-CIS установлены микродвойники по плоскостям (112) и двумерные дефекты по – (100). Двумерные дефекты образуются в результате сдвига в плоскости (001) на вектор типа R=½[110]. Это приводит к образованию антифазных границ по плоскостям (100) и (010) и дефектов упаковки по (001).

На поверхні (001) кристалів KCl з підшаром PbS при температурі підкладки 400 ºС вирощені епітаксійні плівки β-CIS. У плівках виявлені зони існування β-CIS, й β- + γ-CIS, що відповідають псевдобінарної діаграмі стану Cu₂Se–In₂Se₃. У кристаликах β-CIS встановлені мікродвійники по площинах (112) й двовимірні дефекти по (100). Двовимірні дефекти утворюються в результаті зрушення в площині (001) на вектор типу R=1/2[110]. Це приводить до утворення антифазних границь по площинах (100) й (010) та дефектів упакування по площинах (001).

β-CIS epitaxial films were grown on (001) KCl surface with PbS sublayer at 400 ºС. There were revealed the β-CIS and β- + γ-CIS zones, corresponding to Cu₂Se–In₂Se₃ pseudo-binary phase diagram. β-CIS crystallites revealed microtwins on (112) planes and two-dimensional defects on (100). The nature of such two-dimensional defects can be explained as a shift in the (001) β-CIS plane by a vector R = 1/2[110]. As a result, an antiphase boundary appears along the (100) and (010) planes and stacking faults along (001) planes.