Модель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСычикова, Я.А.
dc.date.accessioned2016-11-14T17:43:45Z
dc.date.available2016-11-14T17:43:45Z
dc.date.issued2015
dc.description.abstractВ работе рассмотрены особенности образования кластеров на поверхности полупроводников группы А3В5 при электрохимической обработке. Механизм данного явления описан с точки зрения когерентных явлений в стохастических системах.uk_UA
dc.description.abstractВ роботі розглянуті особливості утворення кластерів на поверхні напівпровідників групи А3В5 при електрохімічній обробці. Механізм цього явища описаний з погляду когерентних явищ в стохастичних системах.uk_UA
dc.description.abstractThe paper discusses the characteristics of cluster formation on the surface of semiconductors A3B5 in electrochemical processing. The mechanism of this phenomenon is described in terms of coherent phenomena in stochastic systems.uk_UA
dc.identifier.citationМодель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5 / Я.А. Сычикова // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 2. — С. 164-168. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1999-8074
dc.identifier.udc539.217; 544.723
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108713
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНауковий фізико-технологічний центр МОН та НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизическая инженерия поверхности
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleМодель формирования кластеров на поверхности полупроводниковых кристаллов группы А3В5uk_UA
dc.title.alternativeМодель формування кластерів на поверхні напівпровідникових кристалів групи А3В5uk_UA
dc.title.alternativeModel cluster formation on the surface of semiconductor crystals of the group A3B5uk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
05-Sychikova.pdf
Розмір:
534 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Физическая инженерия поверхности, 2015, № 2