Local plasmons contribution into photocurrent of Au/GaAs surface barrier structure with Au nanoparticles on interface

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorMamykin, S.
dc.contributor.authorDmitruk, N.
dc.contributor.authorKorovin, A.
dc.contributor.authorNaumenko, D.
dc.contributor.authorDmytruk, A.
dc.contributor.authorPark, Yeon-Su
dc.date.accessioned2017-05-31T18:51:49Z
dc.date.available2017-05-31T18:51:49Z
dc.date.issued2009
dc.description.abstractAu/SiO₂ core-shell nanoparticles have been used to increase the photocurrent in the surface barrier structure Au/GaAs. The method for theoretical calculation of interaction between light and the system of ordered nanoparticles placed on the surface barrier structures has been proposed. Local plasmons excited in the nanoparticles produce additional carriers due to scattering, prolonged interaction with semiconductor and enhanced evanescent electromagnetic field, thus they increase the photocurrent.uk_UA
dc.identifier.citationLocal plasmons contribution into photocurrent of Au/GaAs surface barrier structure with Au nanoparticles on interface / S. Mamykin, N. Dmitruk, A. Korovin, D. Naumenko, A. Dmytruk, Yeon-Su Park // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 4. — С. 315-320. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 73.20.Mf, 78.67.Bf
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118835
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleLocal plasmons contribution into photocurrent of Au/GaAs surface barrier structure with Au nanoparticles on interfaceuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
1-Mamykin.pdf
Розмір:
585.01 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009, № 4