Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВласенко, А.И.
dc.contributor.authorВласенко, З.К.
dc.contributor.authorГнатюк, В.А.
dc.contributor.authorСмирнов, А.Б.
dc.contributor.authorКурило, И.В.
dc.contributor.authorРудый, И.А.
dc.contributor.authorИжнин, И.И.
dc.date.accessioned2014-11-15T18:52:48Z
dc.date.available2014-11-15T18:52:48Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractПоказана возможность создания двухполосного фоторезистора для ИК-областей спектра на основе варизонной эпитаксиальной структуры КРТ с расположенным в глубине пленки (параллельно освещаемой поверхности) рекомбинационно активным слоем металлургической границы. При этом спектральное положение полос фото­чувстви­тель­ности может технологически регулироваться составом и рекомби­национными параметрами диффузионного и нарощенного слоев.uk_UA
dc.identifier.citationВаризонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов / А.И. Власенко, З.К. Власенко, В.А. Гнатюк, А.Б. Смирнов, И.В. Курило, И.А. Рудый, И.И. Ижнин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 6. — С. 25-29. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc621.384.3
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70889
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микроэлектроникаuk_UA
dc.titleВаризонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторовuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
07-Vlasenko.pdf
Розмір:
246.39 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001, № 6