Эволюция структуры пленок Мо, полученных методом магнетронного распылении на a-Si
dc.contributor.author | Севрюкова, В.А. | |
dc.contributor.author | Зубарев, Е.Н. | |
dc.contributor.author | Кондратенко, В.В. | |
dc.contributor.author | Першин, Ю.П. | |
dc.contributor.author | Цебенко, В.О. | |
dc.date.accessioned | 2015-02-09T20:18:35Z | |
dc.date.available | 2015-02-09T20:18:35Z | |
dc.date.issued | 2011 | |
dc.description.abstract | Методами электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии изучена структура слоев Мо, выращенных методом магнетронного распыления на аморфном кремнии в зависимости от номинальной толщины слоев молиодена. При номинальной толщине 1.5 ≤ t < 1.9 нм слой молибдена состоит из кластеров, которые следует рассматривать как переходное состояние из полностью разупорядоченного (аморфного) состояния в кристаллическое. Переход из кластерного состояния в кристаллическое происходит в интервале толщин 1.9 ≤ t < 2.5 нм растущего слоя Мо. Образующиеся кристаллы Мо имеют неравноосную форму с размером 3 ÷ 4 х 15 ÷ 30 нм и состоят из блоков. Короткая ось неравноосных кристаллов параллельна направлению [110] . По мере увеличения толщины слоя Мо кристаллы приобретают все более равноосную форму за счет процесса рекристаллизации. | uk_UA |
dc.description.abstract | Методами електронної мікроскопії і рентгенівської дифрактометрії вивчено структуру шарів Мо, які вирощувалися методом магнетронного розпилювання на аморфному кремнію в залежності від номінальної товщини шарів молібдену. При номінальній товщині 1.5 ≤ t < 1.9 нм шар молібдену складається з кластерів, які слід розглядати як перехідний стан від повністю розупорядкованого (аморфного) в кристалічний. Перехід із кластерного стану в кристалічний відбувається інтервалі товщини 1.9 ≤ t < 2.5 нм шару молібдену, який наростає. Кристали Мо, які утворюються, мають нерівновісну форму з розмірами 3 ÷ 4 х 15 ÷ 30 нм і складаються з блоків. Коротка вісь нерівновісних кристалів паралельна напрямку [110]. При збільшені товщини шару Мо кристали набувають все більш рівно вісну форму завдяки процесу кристалізації. | uk_UA |
dc.description.abstract | The structure of molybdenum layers deposited by direct current magnetron sputtering onto the amorphous silicon (a-Si) layers as function of nominal layer thickness was studied by methods of transmission electron microscopy X-ray diffractometry. Molybdenum layers with nominal thickness 1.9 ≤ t < 2.5 nm consist of clusters which should be considered as a transient state between stron-Mo gly disordered (amorphous) state and crystal one. A transition from clusters to polycrystals takes pla¬ce within the thickness range of 1.9 ≤ t < 2.5 nm. Resulting Mo crystallites have an inequiaxial form with dimensions of 3 ÷ 4 х 15 ÷ 30 nm2 and consist of blocks. The lateral axis of inequiaxial crystallites is parallel to jj loj direction. As the metal layer thickness increases Mo-crystallites take the more regular form at the expense of a recrystallization. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Эволюция структуры пленок Мо, полученных методом магнетронного распылении на a-Si / В.А. Севрюкова, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, Ю.П. Першин, В.О. Цебенко // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 2. — С. 102–114. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. | uk_UA |
dc.identifier.issn | 1999-8074 | |
dc.identifier.udc | 539.25:539.26 | |
dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76350 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України | uk_UA |
dc.relation.ispartof | Физическая инженерия поверхности | |
dc.status | published earlier | uk_UA |
dc.title | Эволюция структуры пленок Мо, полученных методом магнетронного распылении на a-Si | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 01-Sevryukova.pdf
- Розмір:
- 529.38 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: