Эволюция структуры пленок Мо, полученных методом магнетронного распылении на a-Si

dc.contributor.authorСеврюкова, В.А.
dc.contributor.authorЗубарев, Е.Н.
dc.contributor.authorКондратенко, В.В.
dc.contributor.authorПершин, Ю.П.
dc.contributor.authorЦебенко, В.О.
dc.date.accessioned2015-02-09T20:18:35Z
dc.date.available2015-02-09T20:18:35Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractМетодами электронной микроскопии и рентгеновской дифрактометрии изучена структура слоев Мо, выращенных методом магнетронного распыления на аморфном кремнии в зависимости от номинальной толщины слоев молиодена. При номинальной толщине 1.5 ≤ t < 1.9 нм слой молибдена состоит из кластеров, которые следует рассматривать как переходное состояние из полностью разупорядоченного (аморфного) состояния в кристаллическое. Переход из кластерного состояния в кристаллическое происходит в интервале толщин 1.9 ≤ t < 2.5 нм растущего слоя Мо. Образующиеся кристаллы Мо имеют неравноосную форму с размером 3 ÷ 4 х 15 ÷ 30 нм и состоят из блоков. Короткая ось неравноосных кристаллов параллельна направлению [110] . По мере увеличения толщины слоя Мо кристаллы приобретают все более равноосную форму за счет процесса рекристаллизации.uk_UA
dc.description.abstractМетодами електронної мікроскопії і рентгенівської дифрактометрії вивчено структуру шарів Мо, які вирощувалися методом магнетронного розпилювання на аморфному кремнію в залежності від номінальної товщини шарів молібдену. При номінальній товщині 1.5 ≤ t < 1.9 нм шар молібдену складається з кластерів, які слід розглядати як перехідний стан від повністю розупорядкованого (аморфного) в кристалічний. Перехід із кластерного стану в кристалічний відбувається інтервалі товщини 1.9 ≤ t < 2.5 нм шару молібдену, який наростає. Кристали Мо, які утворюються, мають нерівновісну форму з розмірами 3 ÷ 4 х 15 ÷ 30 нм і складаються з блоків. Коротка вісь нерівновісних кристалів паралельна напрямку [110]. При збільшені товщини шару Мо кристали набувають все більш рівно вісну форму завдяки процесу кристалізації.uk_UA
dc.description.abstractThe structure of molybdenum layers deposited by direct current magnetron sputtering onto the amorphous silicon (a-Si) layers as function of nominal layer thickness was studied by methods of transmission electron microscopy X-ray diffractometry. Molybdenum layers with nominal thickness 1.9 ≤ t < 2.5 nm consist of clusters which should be considered as a transient state between stron-Mo gly disordered (amorphous) state and crystal one. A transition from clusters to polycrystals takes pla¬ce within the thickness range of 1.9 ≤ t < 2.5 nm. Resulting Mo crystallites have an inequiaxial form with dimensions of 3 ÷ 4 х 15 ÷ 30 nm2 and consist of blocks. The lateral axis of inequiaxial crystallites is parallel to jj loj direction. As the metal layer thickness increases Mo-crystallites take the more regular form at the expense of a recrystallization.uk_UA
dc.identifier.citationЭволюция структуры пленок Мо, полученных методом магнетронного распылении на a-Si / В.А. Севрюкова, Е.Н. Зубарев, В.В. Кондратенко, Ю.П. Першин, В.О. Цебенко // Физическая инженерия поверхности. — 2011. — Т. 9, № 2. — С. 102–114. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1999-8074
dc.identifier.udc539.25:539.26
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/76350
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНауковий фізико-технологічний центр МОН та НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизическая инженерия поверхности
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleЭволюция структуры пленок Мо, полученных методом магнетронного распылении на a-Siuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
01-Sevryukova.pdf
Розмір:
529.38 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: