Исследование кинетики образования фаз в системе MoSi₂-W в условиях нагрева при температурах 1500-1800 °С
| dc.contributor.author | Глушко, П.И. | |
| dc.contributor.author | Журавлёв, А.Ю. | |
| dc.contributor.author | Семёнов, Н.А. | |
| dc.contributor.author | Хованский, Н.А. | |
| dc.contributor.author | Широков, Б.М. | |
| dc.contributor.author | Шиян, А.В. | |
| dc.contributor.author | Щербакова, В.В. | |
| dc.date.accessioned | 2016-06-20T13:56:12Z | |
| dc.date.available | 2016-06-20T13:56:12Z | |
| dc.date.issued | 2014 | |
| dc.description.abstract | Исследована кинетика перераспределения фаз в системе MoSi₂-W при 1500—1800 °С. Определены кинетические параметры роста низших силицидов (Mo, W)5Si₃ и уменьшение слоя высшего силицида MoSi₂ в зависимости от температуры окисления. Установлено, что стабильность системы MoSi₂-W превышает стабильность систем MoSi₂-Mo и WSi₂-W. | uk_UA |
| dc.description.abstract | Досліджено кінетику перерозподілу фаз у системі MoSi₂-W при 1500—1800 °С. Визначено кінетичні параметри росту нижчих силіцидів (Mo, W)5Si₃ і зменшення шару вищого силіциду MoSi₂ залежно від температури окислення. Встановлено, що стабільність системи MoSi₂-W перевищує стабільність систем MoSi₂-Mo і WSi₂-W. | uk_UA |
| dc.description.abstract | The kinetics of phase redistribution in the MoSi₂-W system has been investigated in the temperature range 1500—1800 °С. Kinetic parameters for growth of low silicides (Mo, W)5Si₃ and loss of the highest silicide MoSi₂ were determined depending on the temperature of oxidation. It is that stability of multicomponent and multiphase systems MoSі₂-W exceeds stability system MoSі₂-Mo and WSі₂-W. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Исследование кинетики образования фаз в системе MoSi₂-W в условиях нагрева при температурах 1500-1800 °С / П.И. Глушко, А.Ю. Журавлёв, Н.А. Семёнов, Н.А. Хованский, Б.М. Широков, А.В. Шиян, В.В. Щербакова // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 2. — С. 219-222. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 1999-8074 | |
| dc.identifier.udc | 669.018.298 | |
| dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/103567 | |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Физическая инженерия поверхности | |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.title | Исследование кинетики образования фаз в системе MoSi₂-W в условиях нагрева при температурах 1500-1800 °С | uk_UA |
| dc.title.alternative | Дослідження кінетики утворювання фаз у системі MoSi₂-W в умовах нагрівання при температурах 1500—1800 °С | uk_UA |
| dc.title.alternative | The kinetics of phase formation in system MoSi₂-W under heating at temperature 1500—1800 °C | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: