Determination of surface parameters of solids by methods of X-ray total external reflection

dc.contributor.authorBalovsyak, S.V.
dc.contributor.authorFodchuk, I.M.
dc.contributor.authorLytvyn, P.M.
dc.date.accessioned2017-05-27T16:46:49Z
dc.date.available2017-05-27T16:46:49Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractThe series of GaAs and SiO₂ samples with the specially prepared one- and two-dimensional surface reliefs have been investigated by the methods of integral and differential curve total external reflection of X-rays. The direct and inverse problem was solved, taking into consideration data obtained by the method of atomic-force microscopy: the theoretical curves of total external reflection are calculated and parameters describing a surface relief of the samples are restored.uk_UA
dc.identifier.citationDetermination of surface parameters of solids by methods of X-ray total external reflection / S.V. Balovsyak, I.M. Fodchuk, P.M. Lytvyn // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 41-46. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 61.10.Kw, 61.43.Hv, 68.35.-p
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117940
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleDetermination of surface parameters of solids by methods of X-ray total external reflectionuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
09-Balovsyak.pdf
Розмір:
524.06 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: