Doped nanoparticles for optoelectronics applications

dc.contributor.authorGodlewski, M.
dc.contributor.authorWolska, E.
dc.contributor.authorYatsunenko, S.
dc.contributor.authorOpalińska, A.
dc.contributor.authorFidelus, J.
dc.contributor.authorŁojkowski, W.
dc.contributor.authorZalewska, M.
dc.contributor.authorKłonkowski, A.
dc.contributor.authorKuritsyn, D.
dc.date.accessioned2017-05-15T04:59:42Z
dc.date.available2017-05-15T04:59:42Z
dc.date.issued2009
dc.description.abstractNanoparticles of wide band gap materials doped with transition metal ions or rare earth ions are intensively studied for their possible applications in a new generation of light sources for an overhead illumination. In this work we discuss mechanisms of emission enhancement in nanoparticles doped with rare earth or/and transition metal ions. Arguments are presented that phosphors of nanosize may emit light more efficiently and thus be applied in practical optoelectronic devices.uk_UA
dc.description.sponsorshipThis work was partly supported by grant No 1 P03B 090 30 of MEiN, Polanduk_UA
dc.identifier.citationDoped nanoparticles for optoelectronics applications / M. Godlewski, E. Wolska, S. Yatsunenko // Физика низких температур. — 2009. — Т. 35, № 1. — С. 64-69. — Бібліогр.: 28 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.otherPACS: 81.07.Wx, 78.47.–p, 78.55.–m, 78.55.Hx
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/116764
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherФізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизика низких температур
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectXVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводниковuk_UA
dc.titleDoped nanoparticles for optoelectronics applicationsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
09-Godlewski.pdf
Розмір:
109.94 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: