Підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельних діодів
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України
Анотація
Розглянуто підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельного ефекту та резонансно-тунельних діодів (РТД). Зроблено огляд фізичних моделей РТД. Описано принципи роботи РТД. Наведено порівняння фізичних моделей.
Pассмотрены подходы к физическому моделированию резонансно-туннельного эффекта и резонансно-туннельных диодов (РТД). Сделан обзор физических моделей РТД. Описаны принципы работы РТД. Приведено сравнение физических моделей.
Approaches to the physical simulation of resonant-tunneling effect and the simulation of resonanttunneling diodes (RTD) are considered. The RTD principles of operation are described. An overview of the RTD physical models and their comparison are made.
Pассмотрены подходы к физическому моделированию резонансно-туннельного эффекта и резонансно-туннельных диодов (РТД). Сделан обзор физических моделей РТД. Описаны принципы работы РТД. Приведено сравнение физических моделей.
Approaches to the physical simulation of resonant-tunneling effect and the simulation of resonanttunneling diodes (RTD) are considered. The RTD principles of operation are described. An overview of the RTD physical models and their comparison are made.
Опис
Теми
Технічні засоби отримання і обробки даних
Цитування
Підходи до фізичного моделювання резонансно-тунельних діодів / П.В. Свірін // Реєстрація, зберігання і оброб. даних. — 2008. — Т. 10, № 4. — С. 37-46. — Бібліогр.: 28 назв. — укp.