Влияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorШутов, С.В.
dc.date.accessioned2017-07-19T12:56:03Z
dc.date.available2017-07-19T12:56:03Z
dc.date.issued1999
dc.description.abstractПоказана перспективность применения висмута в качестве металла-растворителя для жидкофазной эпитаксии арсенида галлия.uk_UA
dc.description.abstractThe application prospects of bismuth as solvent of metal for gallium arsenide liquid-phase epitaxy has been shown.uk_UA
dc.identifier.citationВлияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлия / С.В. Шутов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 1999. — № 5-6. — С. 48-50. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/122743
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМатериалы для электронных компонентовuk_UA
dc.titleВлияние изовалентного легирования висмутом на свойства эпитаксиального арсенида галлияuk_UA
dc.title.alternativeВплив ізовалентного легірування вісмутом на властивості епітаксіального арсениду галіяuk_UA
dc.title.alternativeMaterials for electronical components The impact of isovalent vismuth doping on properties of epitaxial gallium arsenide.uk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
15-Shutov.pdf
Розмір:
118.37 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструиров. в электронной аппаратуре, 1999, № 5-6