Влияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorЛевченко, И.В.
dc.contributor.authorСтратийчук, И.Б.
dc.contributor.authorТомашик, В.Н.
dc.contributor.authorМаланич, Г.П.
dc.contributor.authorСтанецкая, А.С.
dc.contributor.authorКорчевой, А.А.
dc.date.accessioned2018-05-29T05:03:46Z
dc.date.available2018-05-29T05:03:46Z
dc.date.issued2017
dc.description.abstractВ данной статье рассмотрены особенности химико-динамического полирования полупроводников типа AIIIBV травильными композициями(NH₄) ₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ с использованием C₆H₈O₇ разной исходной концентрации.uk_UA
dc.description.abstractУ даній статті розглянуто особливості хеміко-динамічного полірування напівпровідників типу AIIIBV щавильними композиціями(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ з використанням C₆H₈O₇ різної вихідної концентрації.uk_UA
dc.description.abstractIn this article, the peculiarities of the chemical-dynamic polishing of III–V semiconductors in the etching(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ compositions using various C₆H₈O₇ concentrations are determined.uk_UA
dc.identifier.citationВлияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ (NH4)2Cr2O7–HBr–C6H8O7 / И.В. Левченко, И.Б. Стратийчук, В.Н. Томашик, Г.П. Маланич, А.С. Станецкая, А.А. Корчевой // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології: Зб. наук. пр. — К.: РВВ ІМФ, 2017. — Т. 15, № 3. — С. 495–506. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1816-5230
dc.identifier.otherPACS: 61.72.uj, 68.35.bg, 68.35.Ct, 68.37.Ps, 81.65.Cf, 81.65.Ps, 82.65.+r
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/133493
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofНаносистеми, наноматеріали, нанотехнології
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleВлияние изменения концентрации C₆H₈O₇ на характер химического взаимодействия InAs, InSb, GaAs и GaSb с травильными растворами (NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇uk_UA
dc.title.alternativeInfluence of the C₆H₈O₇ Concentration Change on the Chemical Interaction of InAs, InSb, GaAs and GaSb with the Etching(NH₄)₂Cr₂O₇–HBr–C₆H₈O₇ Solutionsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
08-Levchenko.pdf
Розмір:
229.43 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2017, № 3