Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorГорев, Н.Б.
dc.contributor.authorКоджеспирова, И.Ф.
dc.contributor.authorПривалов, Е.Н.
dc.date.accessioned2014-01-01T21:56:40Z
dc.date.available2014-01-01T21:56:40Z
dc.date.issued2008
dc.description.abstractВыявлены особенности вольт-фарадных характеристик ионно-имплантированных структур GaAs, обусловленные наличием глубоких центров захвата.uk_UA
dc.identifier.citationВольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 4. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52449
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМатериалы электроникиuk_UA
dc.titleВольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAsuk_UA
dc.title.alternativeВольт-фарадні характеристики іонно-імплантованих струкіур GaAsuk_UA
dc.title.alternativeCapacitance-voltage characteristics of GaAs ion-implanted structuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
13-Gorev.pdf
Розмір:
103.85 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008, № 4