Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
| dc.contributor.author | Конакова, Р.В. | |
| dc.contributor.author | Колядина, Е.Ю. | |
| dc.contributor.author | Матвеева, Л.А | |
| dc.contributor.author | Нелюба, П.Л. | |
| dc.contributor.author | Шинкаренко, В.В. | |
| dc.date.accessioned | 2013-12-22T00:54:49Z | |
| dc.date.available | 2013-12-22T00:54:49Z | |
| dc.date.issued | 2010 | |
| dc.description.abstract | Исследовано влияние типа металлизации и микроволнового облучения на свойства омических контактов к гетеро-структурам, содержащим фуллерены. Выявлено преимущество титановой металлизации перед золотой. | uk_UA |
| dc.description.abstract | Розглянуто два види металізації (Au, Ti) до матеріалу, що містить фулерен. Досліджено ефективність мікрохвильоого відпалу полімер-фулеренового шару з обома металізаціями, та показано, що НВЧ-обробка знижує сумарний опір структури в обох випадках. Показано перспективність використання титанової металізації у порівнянні з золотою, та проаналізовано механізми, що обумовлюють якість титанової металізації.ѕ | uk_UA |
| dc.description.abstract | Two types of metallization (Au, Ti) to a fullerene-bearing material are investigated. The advantages of microwave annealing are noted. Microwave annealing of polymer-fullerene layers with both metallizations is studied; the resistance decreases in both cases. The titanium metallization seems to be more promising than the gold one. The mechanisms responsible for titanium metallization quality are presented. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники / Р.В. Конакова, Е.Ю. Колядина, Л.А, Матвеева П.Л. Нелюба, В.В. Шинкаренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 5-6. — С. 40-42. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 2225-5818 | |
| dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/51983 | |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Технология и конструирование в электронной аппаратуре | |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.subject | Технологические процессы и оборудование | uk_UA |
| dc.title | Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники | uk_UA |
| dc.title.alternative | Радіаційна технологія покращення омічних контактів до елементів електронної техніки | uk_UA |
| dc.title.alternative | Radiation technology for improvement of ohmic contacts to the electronic device elements | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 09-Konakova.pdf
- Розмір:
- 116.74 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: