Magnetic point contact in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As

dc.contributor.authorFigielski, T.
dc.contributor.authorWosinski, T.
dc.contributor.authorMorawski, A.
dc.contributor.authorPelya, O.
dc.contributor.authorMakosa, A.
dc.contributor.authorDobrowolski, W.
dc.contributor.authorWrobel, J.
dc.contributor.authorSadowski, J.
dc.contributor.authorJagielski, J.
dc.contributor.authorRatajczak, J.
dc.date.accessioned2017-05-27T16:47:27Z
dc.date.available2017-05-27T16:47:27Z
dc.date.issued2003
dc.description.abstractWe show that narrow constrictions, a few hundred nanometers wide, in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As layer exhibit large spin-related magnetoresistance. Moreover, we demonstrate that application of oxygen-ions implantation, instead of chemical etching, is much better method of tailoring nanometer-size circuits in (Ga,Mn)As suitable for future spin electronics.uk_UA
dc.identifier.citationMagnetic point contact in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As / T. Figielski, T. Wosinski, A. Morawski, O. Pelya, A. Makosa, W. Dobrowolski, J. Wrobel, J. Sadowski, J. Jagielski, J. Ratajczak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2003. — Т. 6, № 1. — С. 53-54. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 75.50.Pp; 75.75.+a; 85.80.Jm
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117941
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleMagnetic point contact in ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)Asuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
11-Figielski.pdf
Розмір:
379.95 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: