Радиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДовбня, А.Н.
dc.contributor.authorЕфимов, В.П.
dc.contributor.authorАбызов, А.С.
dc.contributor.authorШаповал, И.И.
dc.contributor.authorРыбка, А.В.
dc.contributor.authorБерезняк, Е.П.
dc.contributor.authorЗакутин, В.В.
dc.contributor.authorРешетняк, Н.Г.
dc.contributor.authorРомасько, В.П.
dc.date.accessioned2011-01-31T16:29:31Z
dc.date.available2011-01-31T16:29:31Z
dc.date.issued2010
dc.description.abstractИсследуются радиационные процессы формирования аморфно-микрокристаллических гетероструктур с квантовыми нитями, обеспечивающие вывод носителей заряда из объема полупроводника в кремниевых фотопреобразователях нового поколения.uk_UA
dc.description.abstractДосліджено радіаційні процеси формування аморфно-мікрокристалічних гетероструктур з квантовими нитями, які забезпечують відведення носіїв заряду з об'єму напівпровідника у кремнієвих фотоперетворювачах нового покоління.uk_UA
dc.description.abstractRadiation processes of formation of amorphous-microcrystalline heterostructures with the quantum threads, providing charge carriers collection from semiconductor bulk in the silicon photoconverters of new generation are investigated.uk_UA
dc.identifier.citationРадиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователях / А.Н. Довбня, В.П. Ефимов, А.С. Абызов, И.И. Шаповал, А.В. Рыбка, Е.П. Березняк, В.В. Закутин, Н.Г. Решетняк, В.П. Ромасько // Вопросы атомной науки и техники. — 2010. — № 2. — С. 164-167. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1562-6016
dc.identifier.udc621.3.049.77
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/15712
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНаціональний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН Україниuk_UA
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectПрименение ускорителейuk_UA
dc.titleРадиационное дефектообразование для изменения электрофизических характеристик в кремниевых фотопреобразователяхuk_UA
dc.title.alternativeРадіаційне дефектоутворення для зміни електрофізичних характеристик у кремнієвих фотоперетворювачахuk_UA
dc.title.alternativeRadiation-induced defect formation for change of electrophysical characteristics in silicon photoconvertersuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
38-Dovbnya.pdf
Розмір:
3.21 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
929 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Вопросы атомной науки и техники, 2010, № 2