Вплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВенгер, Є.Ф.
dc.contributor.authorМатвеєва, Л.О.
dc.contributor.authorКолядіна, О.Ю.
dc.contributor.authorКлименко, А.П.
dc.date.accessioned2008-09-02T17:07:19Z
dc.date.available2008-09-02T17:07:19Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractWe have investigated the real and chemically sulfided gallium arsenide surfaces by the electroreflectance method in the E0-spectral region. On the basis of quantitative analysis of the experimental data, the flat band potential, energies of quantized levels, width of a quantum well, and the intrinsic mechanical stresses depending on sulfiding conditions are determined. We have ascertained optimal conditions for the improvement of the electron parameters of the substrate-sulfide film interface on the electron passivation of GaAs.en_US
dc.identifier.citationВплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAs / Є.Ф. Венгер, Л.О. Матвеєва, О.Ю. Колядіна, А.П. Клименко // Доп. НАН України. — 2007. — N 7. — С. 72–78. — Бібліогр.: 15 назв. — укp.en_US
dc.identifier.issn1025-6415
dc.identifier.udc621.321.592
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/1747
dc.language.isouken_US
dc.publisherВидавничий дім "Академперіодика" НАН Україниen_US
dc.statuspublished earlieren_US
dc.subjectФізикаen_US
dc.titleВплив внутрішніх механічних напружень і квантово-розмірного ефекту на ефективність сульфідної електронної пасивації GaAsen_US
dc.typeArticleen_US

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
12 - Venger.pdf
Розмір:
235.08 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
1.79 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Доповіді НАН України, 2007, № 07