Effect of ZnGeP₂ annealing in Zn vapor on the laser spectrum

Abstract

The work is devoted to experimental investigation of the band structure, deep local centers and complexes as well as of generation/recombination processes in the ZnGeP₂ semiconductor crystal. The crystals grown by Bridgeman technique, annealed in Zn vapor and unannealed were studied. The dynamics of the defect structure change in the ZnGeP₂ crystal due to annealing in Zn vapor has been considered as well as the presumable identification of impurity centers.

Статья посвящена экспериментальному исследованию зонной структуры, глубоких локальных центров и комплексов, а также генерационно-рекомбинационных процессов в полупроводниковом кристалле ZnGeP₂. Исследовались кристаллы, выращенные методом Бриджмена: отожженные и неотожженные в парах Zn. Рассмотрена динамика изменения дефектной структуры в кристалле ZnGeP₂ после отжига в парах Zn, а также возможная идентификация примесных центров.