Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorДяденчук, А.Ф.
dc.contributor.authorКидалов, В.В.
dc.date.accessioned2016-11-05T21:27:43Z
dc.date.available2016-11-05T21:27:43Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractВ данной работе методом анодного электрохимического травления была получена периодическая пористая структура полупроводника GaAs (001) n-типа проводимости. Поперечное сечение полученной структуры изучалось на сканирующем электронном микроскопе.uk_UA
dc.description.abstractУ даній роботі методом анодного електрохімічного травління була отримана періодична пориста структура напівпровідника GaAs (001) n-типу провідності. Поперечний переріз отриманої структури вивчався на скануючому електронному мікроскопі.uk_UA
dc.description.abstractIn this study, the method of anodic electrochemical etching was received periodic porous structure semiconductor GaAs (001) n-type conductivity. The cross section of the resultant structure was studied by SEM.uk_UA
dc.identifier.citationПолучение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления / А.Ф. Дяденчук, В.В. Кидалов // Физическая инженерия поверхности. — 2014. — Т. 12, № 4. — С. 484-486. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1999-8074
dc.identifier.udc539.217; 544.723
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/108493
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНауковий фізико-технологічний центр МОН та НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизическая инженерия поверхности
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleПолучение периодических слоев GaAs методом электрохимического травленияuk_UA
dc.title.alternativeОтримання періодичних шарів GaAs методом електрохімічного травленняuk_UA
dc.title.alternativeObtaining periodic layers GaAs by electrochemical etchinguk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
03-DiadenchukNEW.pdf
Розмір:
488.29 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Физическая инженерия поверхности, 2014, № 4