Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃
| dc.contributor.author | Осинский, В.И. | |
| dc.contributor.author | Гончаренко, Т.И. | |
| dc.contributor.author | Ляхова, Н.Н. | |
| dc.date.accessioned | 2016-06-08T10:58:16Z | |
| dc.date.available | 2016-06-08T10:58:16Z | |
| dc.date.issued | 2003 | |
| dc.identifier.citation | Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ / В.И. Осинский, Т.И. Гончаренко, Н.Н. Ляхова // Физическая инженерия поверхности. — 2003. — Т. 1, № 1. — С. 94-98. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 1999-8074 | |
| dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/101844 | |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Физическая инженерия поверхности | |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.title | Влияние обработки поверхности чипов на экстракцию излучения сверхъярких светодиодов на гетероструктурах InGaN/Al₂O₃ | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- 13-Osinsky.pdf
- Розмір:
- 508.23 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: