Свойства алмазов, выращенных на затравке в системе магний–углерод

Abstract

Исследованы особенности роста алмаза на затравке в ростовой системе на основе Mg–C при p ≤ 8,2 ГПа и Т = 1800–2000 °C. Выращенные алмазы были изучены методами рамановской, фотолюминесцентной и ИК-спектроскопии. Показано, что монокристаллы, полученные в этой системе, являются условно безазотными типа IIa + IIb. Рассмотрены причины захвата основных примесей – бора и кремния.

Досліджено особливості росту алмазу на затравці в ростовій системі на основі Mg–C при p ≤ 8,2 ГПа и Т = 1800–2000 °C. Кристали, що було вирощено, досліджено методами раманівської, фотолюмінесцентної і ІЧ-спектроскопії. Показано, що монокристали, які було отримано в цій системі, є умовно безазотними типу IIa + IIb. Розглянуто причини захоплення основних домішок – бору і кремнію.

Special features of the diamond seed-growth in the Mg–C growth system at pressure ≤ 8.2 GPa and a temperature of ~ 1800–2000°C have been studied. The grown diamonds have been investigated by Raman, photoluminescence, and IR spectroscopies. It has been shown that single crystals produced in this system are type IIa+IIb conditionally nitrogen-free and the basic impurities are boron and silicon. The reasons for the capture of the B and Si impurities have been considered.