Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности

dc.contributor.authorГлауберман, М.А.
dc.contributor.authorЕгоров, В.В.
dc.contributor.authorКанищева Н.А.
dc.date.accessioned2014-02-15T23:16:47Z
dc.date.available2014-02-15T23:16:47Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractРассмотрены модели магнитотранзисторов, которые не основываются на решении двумерного уравнения непрерывности для инжектированных носителей. Показано, что несоответствие этих моделей точной теории снимается при достаточно корректном решении одномерного уравнения непрерывности.uk_UA
dc.description.abstractРозглянуто моделі магнітотранзисторів, які не основані на вирішенні двовимірного рівняння безперервності для інжектованих носіїв. Показано, що протиріччя між результатами цих моделей та результатами точної теорії знімається при досить коректному використанні рішення одновимірного рівняння безперервності.uk_UA
dc.description.abstractThe magnetotransistor models which arc not based on the resolution of two-dimension continuity equation arc examined. It is shown that a contradiction between results of these models and results of exact theory vanishes when the resolution of one-dimension continuity equation is applied correctlyuk_UA
dc.identifier.citationМоделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности / М.А. Глауберман, В.В. Егоров, Н.А. Канищева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 2-3. — С. 28-32. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc621.382.3
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/56317
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микро- и наноэлектроникаuk_UA
dc.titleМоделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывностиuk_UA
dc.title.alternativeМоделювання магнітотранзисторів на основі одновимірного рівняння безперервностіuk_UA
dc.title.alternativeThe magnetotransistor simulation based on the one-dimension continuity equationuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
05-Gkauberman.pdf
Розмір:
177.59 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: