Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorDolgolenko, A.P.
dc.contributor.authorDruzhinin, A.A.
dc.contributor.authorKarpenko, A.Ya.
dc.contributor.authorNichkalo, S.I.
dc.contributor.authorOstrovsky, I.P.
dc.contributor.authorLitovchenko, P.G.
dc.contributor.authorLitovchenko, A.P.
dc.date.accessioned2017-05-26T17:34:32Z
dc.date.available2017-05-26T17:34:32Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractp-SiGe whisker samples with a diameter of ~40 μm, grown by chemical precipitation from the vapor phase, have been investigated. Temperature dependences of the thermal e.m.f. and conductivity within the temperature interval 20…400 K have been measured. It has been shown that the mobility of holes in p - SiGe whiskers upon the average is 1.5 times higher than that in bulk p - Si samples. p - SiGe whiskers possess smaller phonon scattering and larger phonon dragging in comparison with the bulk p - Si samples.uk_UA
dc.identifier.citationSeebeck’s effect in p-SiGe whisker samples / A.P. Dolgolenko, A.A. Druzhinin, A.Ya. Karpenko, S.I. Nichkalo, I.P. Ostrovsky, P.G. Litovchenko, A.P. Litovchenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 4. — С. 456-460 — Бібліогр.: 6 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 72.15.Jf, 72.20.Pa
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117783
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleSeebeck’s effect in p-SiGe whisker samplesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
14-Dolgolenko.pdf
Розмір:
1.4 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2011, № 4