Photodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm

dc.contributor.authorDobrovolskyi, Yu.
dc.contributor.authorPidkamin, L.
dc.contributor.authorBrus, V.
dc.contributor.authorKuzenko, V.
dc.date.accessioned2017-05-30T14:11:53Z
dc.date.available2017-05-30T14:11:53Z
dc.date.issued2014
dc.description.abstractA mathematical model of the construction of silicon photodiode based on epitaxial structure enabling to regulate the absorption edge of silicon in the long-wave spectral range is presented. The suggested model allows calculating the construction that possesses low sensitivity for the wavelengths larger than 600 nm and maximal values near the wavelength 254 nm.uk_UA
dc.identifier.citationPhotodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nm / Yu. Dobrovolskyi, L. Pidkamin, V. Brus, V. Kuzenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 3. — С. 256-259. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS 61.80.Ba, 85.60.Dw
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118492
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titlePhotodiode based on epitaxial silicon with high sensitivity at the wavelength 254 nmuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
08-Dobrovolskyi.pdf
Розмір:
1.73 MB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: