Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorВикулина, Л.Ф.
dc.contributor.authorХрамов, Е.Ф.
dc.date.accessioned2014-11-15T16:43:59Z
dc.date.available2014-11-15T16:43:59Z
dc.date.issued2001
dc.description.abstractИсследовано влияние γ-излучения на параметры магнитоуправляемых переключающих микросхем типа К1116КП. Обнаружено, что под действием излучения уменьшается эдс Холла, входящего в схему датчика, а также коэффициенты передачи по току транзисторов, что приводит к увеличению пороговой индукции магнитного поля Вп, при достижении которой происходит переключение. Предложен схемный метод компенсации изменения указанных величин, что позволяет создавать микросхемы со стабильным значением Вп.uk_UA
dc.identifier.citationМетод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы / Л.Ф. Викулина, Е.Ф. Храмов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 4-5. — С. 49-50. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.udc621.382
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/70878
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectКомпоненты для электронной аппаратурыuk_UA
dc.titleМетод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемыuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
13-Vikulina.pdf
Розмір:
156.32 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001, № 4-5