Rapidly grown KDP crystals

dc.contributor.authorSalo, V.I.
dc.date.accessioned2017-06-13T14:28:52Z
dc.date.available2017-06-13T14:28:52Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractResults of the study of optical characteristics, real structure and laser damage threshold of KDP crystals rapidly grown in the direction of a prespecified angle of synchronism (θ = 59°) are described in the present paper. A comparative analysis of KDP characteristics for crystals grown by conventional method at a rate of 1 mm/day and by the method of oriented growth at a rate of 10 mm/day is presented. It is shown that elaborated method allows to obtain blanks of nonlinear elements already at the stage of growth. The grown crystals have the bulk laser damage threshold on the level of ~5⋅10¹⁰ cm² and high structure quality; thus it allows to apply them as multipliers of laser radiation frequency.uk_UA
dc.identifier.citationRapidly grown KDP crystals / V.I. Salo // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 2. — С. 200-202. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 81.10.- h, Fq, 78.20.- e, 77.84.Fa, 42.88.+ h
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121084
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleRapidly grown KDP crystalsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
17-Salo.pdf
Розмір:
129.4 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: