Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorKonakova, R.V.
dc.contributor.authorMilenin, V.V.
dc.contributor.authorStovpovoi, M.A.
dc.date.accessioned2017-06-13T16:43:48Z
dc.date.available2017-06-13T16:43:48Z
dc.date.issued2002
dc.description.abstractThe work deals with study and optimization of the technological parameters of ohmic contacts for HEMTs. It is shown that the depth of fusion front penetration into semiconductor is the main factor that determines ohmic properties of contact junctions.uk_UA
dc.identifier.citationOptimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures / R.V. Konakova, V.V. Milenin, M.A. Stovpovoi // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 2. — С. 180-182. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 73.40.K, 73.40.C
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/121191
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleOptimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
10-Konakova.pdf
Розмір:
288.76 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2002, № 2