Релаксация намагниченности в монокристаллах сверхпроводящего фуллерида К₃С₆₀

Abstract

Магнитные релаксационные процессы в сверхпроводящем фуллериде К₃С₆₀ исследовались на монокристаллических образцах в широком интервале температур и внешних магнитных полей. В образцах со 100% сверхпроводящей фазой наблюдается логарифмическая временная зависимость намагниченности M(t). Нормализованная скорость релаксация во всей области магнитных полей возрастает с ростом температуры. Значения энергии активации крипа вихрей находятся в области от 10 до 80 мэВ, и на ее темnературной зависимости наблюдается максимум. Из измерений на образцах с неидеальной стехиометрией сделан вывод, что неоднородности сильно влияют на релаксационные процессы и могут полностью маскировать логарифмическую зависимость M(t).

Магнітні релаксаційні процеси у надпровідному фулериді К₃С₆₀ досліджено на монокристалічних зразках у широкому інтервалі температур і зовнішніх магнітних полів. У зразках з 100% надпровідною фазою спостерігається логарифмічна термінова залежність намагніченості M(t). Нормалізована швидкість релаксації у всій області магнітних полів зростає з ростом температури. Значення енергії активації крипу вихорів розташовані в області від 10 до 80 меВ, і на її температурній залежності спостерігається максимум. Із вимірювань на зразках з неідеальною стехіометрією зроблено висновок, що неоднорідності сильно впливають на релаксаційні процеси і можуть повністю маскувати логарифмічну залежність M(t).

Magnetic relaxation processes in superconducting fulleride К₃С₆₀ are investigated on monocrystalline samples in a wide range of temperatures and magnetic fields. A logarithmic time dependence M(t) of magnetization is observed in samples with 100% of superconducting phase. The normalized relaxation rate increases with temperature in the entire range of magnetic fields. The flux creep activation energy ranges from 10 to 80 meV, and its temperature dependence has a peak. It has been concluded from the results of measurements on samples with nonideal stoichiometry that inhomogeneities strongly affect the relaxation processes and can mask the logarithmic dependence M(t) completely.