Створення гетероструктури n-InSe-графіт

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorКовалюк, З.Д.
dc.contributor.authorТкачук, І.Г.
dc.contributor.authorПоцілуйко, Р.Л.
dc.contributor.authorКатеринчук, В.М.
dc.contributor.authorНетяга, В.В.
dc.contributor.authorКамінський, В.М.
dc.date.accessioned2017-05-18T18:37:30Z
dc.date.available2017-05-18T18:37:30Z
dc.date.issued2016
dc.description.abstractВ даній роботі представлено створення гетероструктури n-InSe-графіт на основі шаруватого кристала InSe за допомогою олівця марки 4 в. Було виміряно вольт-амперні та вольт-фарадні характеристики даної структури, досліджено спектр фоточутливості, та встановлено основні механізми струмопереносу.uk_UA
dc.description.abstractВ данной работе представлено создание гетероструктуры n-InSe-графит на основе слоистого кристалла InSe с помощью карандаша марки 4 в. Были измерены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики данной структуры, исследованы спектр фоточувствительности и установлены основные механизмы токопереноса.uk_UA
dc.description.abstractThis paper presents the creation of heterostructures n-InSe-graphite-based layered InSe crystal with a 4 B pencil mark. Were measured volt-ampere and volt-Farad characteristics of this structure, the spectrum of the photosensitivity, and the main mechanisms of current transfer.uk_UA
dc.identifier.citationСтворення гетероструктури n-InSe-графіт / З.Д. Ковалюк, І.Г. Ткачук, Р.Л. Поцілуйко, В.М. Катеринчук, В.В. Нетяга, В.М. Камінський // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 251-254 . — Бібліогр.: 10 назв. — укр.uk_UA
dc.identifier.issn2519-2485
dc.identifier.udc537.312, 535.215
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/117000
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherНауковий фізико-технологічний центр МОН та НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofЖурнал физики и инженерии поверхности
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleСтворення гетероструктури n-InSe-графітuk_UA
dc.title.alternativeСоздание гетероструктуры n-InSe-графитuk_UA
dc.title.alternativeThe creation of heterostructures n-InSe-graphiteuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
03-KovalyukNEW.pdf
Розмір:
855.2 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Журнал физики и инженерии поверхности, 2016, № 3