Направленность сверхизлучения из плазмы сильноточного импульсного плазменного диода

Abstract

Исследуется интенсивность и направленность сверхизлучения в диапазоне длин волн 12,2…15,8 нм, которое наблюдается в виде серии мощных пиков длительностью 50…100 нс на фоне рекомбинационного излучения в сильноточном импульсном плазменном диоде, работающем на парах олова. Генерация сверхизлучения происходит в плотной прианодной плазме при плотностях анодного тока 0,1…0,7 МА/см² в индуктивной стадии развития разряда. Показано, что интенсивность и преимущественная направленность сверхизлучения зависят от разрядного напряжения, диаметра анода и различны для разных пиков.

Досліджується інтенсивність та спрямованість надвипромінювання в діапазоні довжин хвиль 12,2…15,8 нм, що спостерігається у вигляді серій потужних піків тривалістю 50…100 нс на фоні рекомбінаційного випромінювання в сильнострумному імпульсному плазмовому діоді, що працює на парах олова. Генерація надвипромінювання відбувається в щільній прианодній плазмі при щільності анодного струму 0,1…0,7 МА/см² в індуктивній стадії розвитку розряду. Показано, що інтенсивність та переважна спрямованість надвипромінювання залежать від розрядної напруги, діаметру анода і різні для різних піків.

In this article the intension and orientation of superradiation in the range of wavelengths 12,2…15,8 nm are investigated. The superradiation is observed as the series of the high-power peaks (τpulse~ 50…100 ns) against a background of the recombination radiation from the high-current pulse plasma diode, which works on the tin vapor. A near anode area is the region of the superradiation generation from dense plasma at the anode current density 0,1…0,7 MA/cm² in inductive stage of the discharge. It is shown, that the intension radiation and preferred orientation of radiation depend on a discharge voltage, a diameter of the anode and are various for different peaks.