Исследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorСапаев, И.Б.
dc.date.accessioned2016-05-04T16:01:34Z
dc.date.available2016-05-04T16:01:34Z
dc.date.issued2013
dc.description.abstractИзготовлено гетеропереходы n/Si-n/CdSx Te1-x методом вакуумного напыления пленки твердого раствора CdSx Te1-x на поверхность монокристаллического n/Si. Исследованы основные электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Определены значения постоянной кристаллической решетки твердого раствора CdSx Te1-x на границе гетероструктуры n/Si-n/CdSx Te1-x.uk_UA
dc.description.abstractВиготовлено гетеропереходи n/Sі-n/CdSx Te1-x методом вакуумного напилювання плівки твердого розчину CdSx Te1-x на поверхню монокристалічного n/Sі. Досліджено основні електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів. Визначено значення постійних кристалічних ґраток твердого розчину CdSx Te1-x на границі гетероструктури n/Si-n/CdSx Te1-x.uk_UA
dc.description.abstractIt is made heterojunction n/Si-n/CdSx Te1-x by a method of a vacuum dusting of a film of firm solution CdSx Te1-x on a surface monocrystalline n/Si. The basic electric and photo-electric properties of heterojunction are investigated. Values of a constant crystal lattice of firm solution CdSx Te1-x on heterostructure border n/Si-n/ CdSx Te1-x are defined.uk_UA
dc.identifier.citationИсследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структуры / И.Б. Сапаев // Физическая инженерия поверхности. — 2013. — Т. 11, № 2. — С. 223–227. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn1999-8074
dc.identifier.udc53.043;53.023;539.234.
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/99830
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherНауковий фізико-технологічний центр МОН та НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofФизическая инженерия поверхности
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleИсследование электрических и фотоэлектрических свойств In-CdSxTe1-x-Si-In структурыuk_UA
dc.title.alternativeДослідження електричних і фотоелектричних властивостей In-CdSxTe1-x-Si-In-структуриuk_UA
dc.title.alternativeResearch of electric and photo-electric properties In-CdSx Te1-x-Si-In structuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
11-Sapayev.pdf
Розмір:
302.66 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Физическая инженерия поверхности, 2013, № 2