Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБайдуллаева, А.
dc.contributor.authorБорщ, В.В.
dc.contributor.authorВелещук, В.П.
dc.contributor.authorВласенко, А.И.
dc.contributor.authorДаулетмуратов, Б.К.
dc.contributor.authorЛевицкий, С.Н.
dc.contributor.authorМозоль, П.Е.
dc.date.accessioned2014-01-08T18:53:20Z
dc.date.available2014-01-08T18:53:20Z
dc.date.issued2007
dc.description.abstractФормирование пленки теллура на поверхности кристалла CdTe при облучении импульсами рубинового лазера позволяет изготавливать структуры со свойством электронного переключения с памятью.uk_UA
dc.identifier.citationСтруктура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью / А. Байдуллаева, В.В. Борщ, В.П. Велещук, А.И. Власенко, Б.К. Даулетмуратов, С.Н. Левицкий, П.Е. Мозоль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 40-43. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52875
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФункциональная микро- и наноэлектроникаuk_UA
dc.titleСтруктура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятьюuk_UA
dc.title.alternativeСтруктура Те–CdTe з властивістю електронного переключення з пам'яттюuk_UA
dc.title.alternativeStructure Te-CdTe with properties of electronic switching with memoryuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
09-Baidulaeva.pdf
Розмір:
143.27 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007, № 5