Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
| dc.contributor.author | Кудрик, Я.Я. | |
| dc.date.accessioned | 2013-12-29T17:18:32Z | |
| dc.date.available | 2013-12-29T17:18:32Z | |
| dc.date.issued | 2009 | |
| dc.description.abstract | Рассмотрены особенности измерения ВАХ импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов и использования их параметров для прогнозирования надежности ЛПДK | uk_UA |
| dc.description.abstract | Розглянуто аспекти вимірювань вольт-амперных характеристик імпульсних лавинно-пролітних діодів (ЛПД). Визначено основні параметри ВАХ імпульсних ЛПД: густина критичного струму, стрибок напруги на ділянці негативного диференціального опору, напруга лавинного пробою. Приведено спосіб визначення температурного опору ділянки «p.n-перехід.корпус», необхідного для розрахунку режиму роботи ЛПД. Показано можливість використання величини ΔU для прогнозування ранніх відмов ЛПД.· | uk_UA |
| dc.description.abstract | Some aspects of measurement of I-V-curves for IMPATT diodes are considered. There were determined the main parameters of the pulsed I-V-curves for IMPATT diodes: density of critical current, voltage step in the region of negative differential resistance and avalanche breakdown region. A method for determination of p-n junction-package thermal resistance that is required for calculation of IMPATT diode operating mode is given. A possibility to use ΔU magnitude for prediction of early failures of IMPATT diodes was demonstrated. | uk_UA |
| dc.identifier.citation | Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя / Я.Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 32-33. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. | uk_UA |
| dc.identifier.issn | 2225-5818 | |
| dc.identifier.uri | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52311 | |
| dc.language.iso | ru | uk_UA |
| dc.publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України | uk_UA |
| dc.relation.ispartof | Технология и конструирование в электронной аппаратуре | |
| dc.status | published earlier | uk_UA |
| dc.subject | Функциональная микро- и наноэлектроника | uk_UA |
| dc.title | Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя | uk_UA |
| dc.title.alternative | Вимірювання ВАХ імпульсних кремнієвих ЛПД наділянці лавинного пробою | uk_UA |
| dc.title.alternative | The measurements of pulsed I-V-curves for silicon IMPATT diodes in the avalanche breakdown region | uk_UA |
| dc.type | Article | uk_UA |
Файли
Оригінальний контейнер
1 - 1 з 1
Контейнер ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 817 B
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: