Excessive Pressure in the Subsurface Layer in a Crystal

dc.contributor.authorKarasevskii, A.I.
dc.contributor.authorLubashenko, V.V.
dc.date.accessioned2017-01-15T14:12:27Z
dc.date.available2017-01-15T14:12:27Z
dc.date.issued2015
dc.description.abstractAs shown, the formation of surface of a semi-infinite crystal is accompanied with excessive pressure arising inside the subsurface region, resulting in changes of structural and phase states of this region.uk_UA
dc.description.abstractПоказано, що утворення поверхні напівнескінченного кристалу супроводжується надлишком тиску в приповерхневій області, що спричиняє зміну її структурного та фазового станів.uk_UA
dc.description.abstractПоказано, что образование поверхности полубесконечного кристалла сопровождается избыточным давлением в приповерхностной области, что является причиной изменения её структурного и фазового состояний.uk_UA
dc.identifier.citationExcessive Pressure in the Subsurface Layer in a Crystal / A. I. Karasevskii, V. V. Lubashenko // Металлофизика и новейшие технологии. — 2015. — Т. 37, № 4. — С. 449-454. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1024-1809
dc.identifier.otherPACS: 64.70.dm, 65.40.gh, 65.40.gk, 65.40.gp, 68.35.Md, 68.35.Rh
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/111886
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofМеталлофизика и новейшие технологии
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectФазовые превращенияuk_UA
dc.titleExcessive Pressure in the Subsurface Layer in a Crystaluk_UA
dc.title.alternativeНадмірний тиск в приповерхневому шарі кристалуuk_UA
dc.title.alternativeИзбыточное давление в приповерхностном слое кристаллаuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
02-Karasevskii.pdf
Розмір:
141.83 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Стаття

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Завантаження...
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: