Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorАбызов, А.С.
dc.contributor.authorАжажа, В.М.
dc.contributor.authorДавыдов, Л.Н.
dc.contributor.authorКовтун, Г.П.
dc.contributor.authorКутний, В.Е.
dc.contributor.authorРыбка, А.В.
dc.date.accessioned2014-02-01T21:19:48Z
dc.date.available2014-02-01T21:19:48Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractНа основе физических параметров, критичных для детектирующей способности детектора, проведен анализ бинарных соединений с тетраэдрической структурой.uk_UA
dc.identifier.citationВыбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения / А.С. Абызов, В.М. Ажажа, Л.Н. Давыдов, Г.П. Ковтун, В.Е. Кутний, А.В. Рыбка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2004. — № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.uk_UA
dc.identifier.issn2225-5818
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/54419
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofТехнология и конструирование в электронной аппаратуре
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.subjectМатериалы для микроэлектроникиuk_UA
dc.titleВыбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излученияuk_UA
dc.title.alternativeВибір напівпровідникового матеріалу для детекторів гамма-випромінюванняuk_UA
dc.title.alternativeSelection of semiconductor material for gamma-radiation detectorsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
01-Abyzov.pdf
Розмір:
107.01 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004, № 3