Методи формування нанорозмірних структур на плівках халькогенідних склоподібних напівпровідників

Abstract

Представлено аналіз методів запису мікро- та нанорельєфних структур на плівках халькогенідних склоподібних напівпровідників. Показано, що при експонуванні плівок халькогенідних склоподібних напівпровідників оптичним випромінюванням, яке сфокусовано дифракційно обмеженими оптичними системами, відбитки, розміри яких значно менші дифракційної межі, можуть бути отримані при використанні нелінійності експозиційної характеристики фоточутливих матеріалів. Наведено дані про запис нанорозмірних структур ближньопольовими та електронно-променевими фокусувальними системами.

Представлен анализ методов записи микро- и нанорельефных структур на пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников. Показано, что при экспонировании пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников оптическим излучением, сфокусированным дифракционно ограниченными оптическими системами, отпечатки, размеры которых значительно меньше дифракционной границы, могут быть получены при использовании нелинейности экспозиционной характеристики фоточувствительных материалов. Приведены данные о записи наноразмерных структур ближнеполевыми и электронно-лучевыми фокусирующими системами.

The analysis of methods of micro- and nanorelief structures recording at chalcogenide vitreous semiconductors films is presented. It is shown that exposing of the chalcogenide vitreous semiconductors films by optical radiation focused by diffraction limited optical systems allows to obtain prints with much smaller size than the diffraction boundary by using of the photosensitive materials exposure characte-ristics nonlinearity. The data of the recording nanosize structures by near field and electron beam systems are revealed