Galvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorOstapov, S.E.
dc.contributor.authorRarenko, I.M.
dc.contributor.authorTymochko, M.D.
dc.date.accessioned2017-06-05T09:27:36Z
dc.date.available2017-06-05T09:27:36Z
dc.date.issued2004
dc.description.abstractThis paper presents theoretical and experimental investigations of narrow-gap semiconductors HgMnTe and HgCdMnTe. It has been shown that the comparison of temperature dependencies of the conductivity and Hall coefficient in the mixed conductivity region makes it possible to determine the content of cadmium and manganese, as well as the concentration of doping acceptor impurity.uk_UA
dc.description.sponsorshipThis work was financially supported by Science and Technology Center of Ukraine (STCU) under Project #1440.uk_UA
dc.identifier.citationGalvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystals / S.E. Ostapov, I.M. Rarenko, M.D. Tymochko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 4. — С. 339-342. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.uk_UA
dc.identifier.issn1560-8034
dc.identifier.otherPACS: 72.20.Dp; 72.20.Fr; 72.20.My
dc.identifier.urihttps://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/119211
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherІнститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН Україниuk_UA
dc.relation.ispartofSemiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
dc.statuspublished earlieruk_UA
dc.titleGalvanomagnetic phenomena in HgMnTe and HgCdMnTe single crystalsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA

Файли

Оригінальний контейнер

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
02-Ostapov.pdf
Розмір:
234.8 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Контейнер ліцензії

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
license.txt
Розмір:
817 B
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекція

Semicond. Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2004, № 4