Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках

Abstract

Проанализированы оптические спектры напряженных сверхрешеток второго типа ZnSe/ZnTe, как свежевыращенных, так и хранившихся в течение некоторого времени, с учетом образования на их гетерограницах смешанных слоев ZnSe1–xTex, имеющих кластерную структуру. Рассчитана зависимость энергии локализации дырок от радиуса кластеров атомов Te, которая хорошо согласуется с экспериментальными данными. В образцах, хранившихся в течение некоторого времени, обнаружено изменение формы и монотонное смещение полосы фотолюминесценции в коротковолновую сторону. Показано, что причина смещения связана с изменением внутренней структуры смешанных слоев со временем и образованием локальных состояний, наведенных изоэлектронными примесями (атомами Te).

Проаналізовано оптичні спектри напружених надграток другого типу ZnSe/ZnTe, як свіжовирощених, так і тих, що зберігалися на протязі деякого проміжку часу, з урахуванням утворення на їх гетеромежах змішаних шарів ZnSe1–xTex, які мають кластерну структуру. Розраховано залежність енергії локалізації дірок від радіуса кластерів атомів Te, яка добре погоджується з експериментальними даними. В зразках, які зберігалися на протязі деякого часу, виявлено зміну форми і монотонний зсув смуги фотолюмінесцеції в короткохвильовий бік. Показано, що причина цього зсуву пов’язана зі зміною внутрішньої структури змішаних шарів з часом і утворенням локальних станів, наведених ізоелектронними домішками (атомами Te).

The optical spectra of type-II strained ZnSe/ZnTe superlattices, both fresh-prepared and kept for some time, are analyzed with taking into account the formation of mixed ZnSe1-xTex layers, at their interfaces which have a cluster structure. The dependence of the hole localization energy on the radius of Te atom clusters is calculated, which is in good agreement with the experiment. The samples kept for some time display a change of the shape and a monotonous shift of the luminescence band to a high-energy edge. It is shown that the shift is caused by the change in the internal structure of the mixed layers with time and the formation of local exciton states induced by isoelectronic Te atoms.